İnce Film Laboratuvarı

 

İnce film laboratuvarı malzeme bilimi, elektronik, optik, enerji ve nanoteknoloji gibi birçok alan için kullanılmaktadır. İnce film laboratuvarının ana hedefleri şu şekilde sıralanabilir:

  • Elektriksel, optik, mekanik veya termal özelliklere sahip ince filmler geliştirmek,
  • Malzemenin yüzey özelliklerinin geliştirilmesine yönelik kaplamalar yapmak,
  • Sensörler, enerji depolama cihazları ve yarı iletken malzemelerin geliştirilmesinde kullanılan filmler elde etmek,
  • Pil elektrotları ve süper kapasitörler için ince film malzemeler geliştirmek,
  • Nano ölçekte kontrollü biriktirme yaparak nanomalzeme üretimi sağlamak,
  • Grafen, karbon nanotüp gibi malzemeler elde etmek,
  • Nitrür, karbür ve oksit esaslı sert ince kaplamalar geliştirmek,

 

VAKSİS CVD HANDY TUBE(KİMYASAL BUHAR BİRİKTİRME)

 

Cihaz Bilgisi:

Sistemin vakum odası kuvars borudan olup, ısıtması kızıl ötesi (IR) lambalarla kontrollü şekilde yapılmaktadır. Tüp fırın yapısında tasarlanmış olan fırın, kuvars vakum odasındaki alttaşı homojen şekilde ve saniyede maksimum 20°C ile ısıtabilecek özelliktedir. Fırının ısıtma rejimi, kullanıcı tarafından kontrol edilebilir. Sıcaklık 150°-1000°C arasında kontrol edilebilmektedir. Maksimum sıcaklık 1050°C olacak şekilde tasarlanmıştır. Hızlı soğuma işlemi fırını ısıtma pozisyonundan soğutma pozisyonuna taşıyarak ve fırın duvarlarını su ile soğutarak yapılır. Sisteme Ar, N2, H2, CH4 gazları gönderilebilmektedir.

LPCVD, homojen kalınlık ve saflık, kolay kullanım, büyütülen tabakaların homojen olması ve yüksek üretilebilirlik gibi avantajlara sahiptir.

Cihazın Teknik Özellikleri:

  • En Düşük Basınç: ≈ 10-2 Torr
  • Kuvars Tüp Çapı: Maks. 130 mm
  • Maks. Sıcaklık: 1050°C
  • Isıtma Bölgesi Uzunluğu: 250 mm
  • Sıcaklık Kontrol Sistemi: PID Yöntemiyle
  • Soğutma: Kaydırma Mekanizmasıyla Hızlı Soğutma

Cihazın Kullanım Alanları:

  • Grafen ve karbon nanotüp (KNT) üretimi için kullanılmaktadır.
  • Araştırma ve Geliştirme.

 

VAKSİS CVD HANDY (PLAZMA DESTEKLİ KİMYASAL BUHAR BİRİKTİRME YÖNTEMİ (PECVD))

 

Cihaz Bilgisi:

Handy PECVD sistemi; plazma destekli kimyasal buhar biriktirme sistemidir. Bu sistem ince film üretmek üzere tasarlanmıştır. Sistemin amacı; kaynak gaz ve alttaş arasında kimyasal bir reaksiyon oluşturmaktır. Sistemde kullanılabilecek plazma destekli kimyasal gazlar: Ar, N2, O2, CH4.

Alttaş, kaplama yapılmadan önce kazan içerisine konulmalıdır. Kazan basıncı 3x10-5 Torr veya daha az seviyeye geldiği zaman sistem kaplamaya hazır hale gelmiştir demektir. CVD metodunda; alttaş içeri gazların verilebileceği bir reaktörün içine uygun şekilde yerleştirilmiştir. Bu uygulamanın temel amacı; alttaş ile verilen gaz ya da gazlar arasında kimyasal tepkime oluşturarak alttaş üzerindeki filmi kaplayabilmektir. Tepkime sonucu kaplama katı bir malzemedir ve kaplama reaktörün bütün yüzeylerine dağılmıştır.

Plazma destekli CVD uygulaması, düşük sıcaklıklarda (<250 oC), reaktör içinde oluşan plazma tarafından gaz moleküllerine ekstra enerji kazandırılır. Film kaplama sırasında, kullanıcı isterse, alttaşı ısıtabilir, plazmayı kapatarak alttaş yüzeyinde kimyasal tepkimeden kaynaklı oluşacak kaplamayı durdurabilir. Vakum kazanı bir anot ve bir katot içermektedir. Anot, vakum kazanının üst plakasıdır. Katot ise, vakum kazanının alt kısmına yerleştirilmiştir. Katot, maksimum gücü 300 W ve 13,56 MHz frekansa sahip RF ile sürülmektedir. Alttaş tutucu görevini de üstlenmektedir.

CVD Handy ince film sistemi (PECVD), gaz türlerinin bir çip veya katı yüzey üzerinde etkileşime girdiği diğer Kimyasal Buhar Biriktirme Sistemlerine benzerdir.

Cihazın Teknik Özellikleri:

  • En Düşük Basınç: < 1x10-8 Torr
  • Alttaş Boyutu: 4” çapında
  • Alttaş Isıtma: Max. 350  °C
  • Büyütme Yöntemi: Kapasitif Eşleşmiş PE-CVD
  • Güç Kaynağı: 300W RF
  • Kontrol: Bilgisayar üzerinden tam otomasyon
  • Yükleme: Yukarıdan

Cihazın Kullanım Alanları:

  • Dielektrik kaplamalar,
  • Kesici ve Takım endüstrisi,
  • Biyomedikal uygulamalar,
  • Koruyucu kaplamalar,
  • Araştırma ve Geliştirme.

 

VAKSİS MİDAS 1EB2T (FİZİKSEL BUHAR BİRİKTİRME SİSTEMİ (PVD))

 

Cihaz Bilgisi:

Alttaş ve hedef plaka malzemeleri termal buharlaştırma yapılmadan önce kazan içerisine konulmalıdır. Kazan basıncı 1x10-5 Torr veya daha az seviyeye geldiği zaman sistem kaplamaya hazır hale gelmiş demektir.

Termal buharlaştırma metodunda, kullanıcı kontrollü olarak, buharlaştırma kaynaklarından yüksek akım geçirilir. Buharlaştırma kaynakları 200 Amper akım taşıyabilmektedir. Buharlaşma kaynaklarındaki malzemeler, yüksek akımla oluşan ısıdan dolayı buharlaşır. Buharlaştırılan metaller alttaşta biriktirilerek kaplama yapılır.

Elektron demeti buharlaştırma metodunda, buharlaştırılacak maddenin üstüne doğru odaklanan elektron demeti, odaklandığı noktada ısınmaya neden olur ve odaklandığı maddenin ısınarak buharlaşmasını sağlar. Buharlaştırılan metaller alttaşta biriktirilerek kaplama yapılır. Elektron demeti buharlaştırma metodunda 4 kroze odası (2 adet 10 kV, 2 adet 6 kV) vardır. Buharlaştırma sürecinde sistem 0-500 mA arasında emisyon akımı taşıyabilmektedir. Film kaplama sırasında kullanıcı isterse alttaşı döndürebilir ve ısıtabilir. Ayrıca kaplama perdeleri ve kalınlık monitörü ile film kalınlığı kontrol edilebilir. Termal güç kaynakları için uzunluğu 3 inçten 5 inçe kadar olan buharlaştırma elementleri (kaşıklar, filamanlar veya çubuklar). E-beam sistemi için 8 cc hacminde kroze. Kroze kullanılan malzemeye uygun (buharlaştırılacak malzeme ile reaksiyon vermeyecek ve termal farklılıkları ihmal edilebilecek, uygulanan emisyon akımına dayanabilecek vb.) olmalıdır. Altlık numunesi Maksimum 4 inç çapında olmalıdır. Sisteme herhangi bir gaz yüklemesi yapılmadığından ona uygun pelet seçimi yapılmalıdır

Cihazın Teknik Özellikleri:

  • En Düşük Basınç: ≤ 1x10-6 Torr
  • Alttaş Boyutu: 4 çapında
  • Alttaş Isıtma: Max. 500 °C
  • Alttaş Döndürme: 3-30 rpm
  • Soğutma: Gerektiğinde
  • Kontrol: Tam otomasyon

Cihazın Kullanım Alanları:

  • Optik kaplamalar,
  • Dekoratif kaplamalar,
  • Mikroelektronik,
  • Enerji ve Fotovoltaik,
  • Araştırma ve Geliştirme,
  • Yarı iletken endüstrisi,
  • Havacılık ve Savunma endüstrisi,
  • Kesici ve Takım uygulamaları,
  • Biyomedikal uygulamalar.

 

VAKSİS ANGORA 4M SPUTTERİNG (FİZİKSEL BUHAR BİRİKTİRME YÖNTEMİ (PVD))

 

Cihaz Bilgisi:

Alttaş ve hedef plaka malzemeleri, saçtırma yapılmadan önce kazan içerisine uygun şekilde yerleştirilmelidir. Kazan basıncı 1x10-5 Torr veya daha az seviyeye geldiği zaman sistem kaplamaya hazır hale gelmiştir demektir.

Saçtırma metodunda; hedef plakaya iyon bombardımanı yapılarak, malzeme, atom ve moleküller halinde bu plakadan kaldırılarak alttaş üzerinde biriktirilir. Saçtırma işlemi için gerekli kararlı Argon gazı ortamını oluşturabilmek için, taban vakuma indirilmiş kazana belirli miktarda Ar gazı verilir. Sonra yüksek DC veya RF voltajı hedef plaka (katot) ve alttaş (anot) arasına uygulanarak, hedef plakadan saçılan elektronların ortamdaki gaz atom veya moleküllerini iyonize etmesi sağlanır. Bu koşullar sağlandığında plazma elde edilir. Anot ve katot arasına uygulanan elektrik alan, Ar+ iyonlarına birkaç yüz eV’luk kinetik enerji kazandırır. Hedef plakaya bu hızla çarpan iyonlar benzer enerjili atom veya moleküllerin hedef plakadan saçılmasına neden olur. Hedef plakadan saçılan bu atom veya moleküller alttaş üzerinde homojen tabakalar oluşturur. Film kaplama sırasında kullanıcı isterse alttaşı döndürebilir, ısıtabilir veya voltaj beslemesi (bias voltage) uygulayabilir. Ayrıca, kapama perdeleri ve kalınlık monitörü ile film kalınlığı kontrol edilebilir.

Argon, Oksijen ve Nitrojen kütle akış kontrolcüleri; Skala Değerleri: Ar Maksimum: 200 sccm, O2 Maksimum: 10 sccm, N2 Maksimum: 50 sccm dir. 2 inç çaplı ¼ veya 1/8 inç kalınlığında Hedef Plaka (target) gerekmektedir. Maksimum Alttaş boyutu: 4 inç olmalıdır.

Cihaz Teknik Özellikleri:

  • En Düşük Basınç: ≤ 1x10-6 Torr
  • Alttaş Boyutu: 4” çapında
  • Alttaş Isıtma: Max. 500 °C
  • Alttaş Döndürme: 3-30 rpm
  • Soğutma: Gerektiğinde
  • Kontrol: Tam otomasyon

Cihazın Kullanım Alanları:

  • Mikroelektornik,
  • Optik endüstrisi,
  • Kesici ve takım endüstrisi,
  • Dekoratif kaplama,
  • Medikal uygulamalar,
  • Enerji ve Fotovoltaik uygulamalar,
  • Otomotiv ve havacılık,
  • Araştırma ve geliştirme,